純金屬濺鍍靶材純度可達 5N(99.999%)以上,能有效抑制顆粒生成與製程異常,顯著提升薄膜品質與製程穩定性。特別適用於半導體與光電產業中對材料純度與沉積精度要求極高的薄膜製程環境。
提供多種純金屬、合金及金屬氧化物材料,包括鋁(Al)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎳鉻合金(NiV)、ITO、ZnO等,全面滿足不同製程條件與膜層特性需求。
採用真空熔煉、熱等靜壓、精密研磨與拋光工藝,搭配嚴格的檢測與成分分析,確保晶粒細密均勻、密度高、尺寸精準,全面符合半導體製程的技術標準與可靠性要求。
| Al | Ti | Ta | Cu | W | Ni | Cr | NiV | ITO | ZnO | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 純金屬 | V | V | V | V | V | V | V | |||
| 合金 | V | |||||||||
| 金屬氧化物 | V | V |