型號： cmpslurry
在先進半導體製程中，CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨）是關鍵的平坦化步驟。 毅閎科技導入國際大廠平恒電子優質研磨液，提供涵蓋 氧化物、金屬鎢、多晶矽與氧化鈰 等多種材料的研磨液產品組合，協助客戶在不同製程節點中，兼顧去除速率、選擇比與缺陷控制，取得穩定且高良率的製程視窗。
完整材料別產品線 依被研磨材料區分為四大系列：可對應前段製程中常見的 ILD、STI、W Plug、多晶矽閘極及相關應用。
氧化物研磨液（Oxide Slurry）
金屬鎢研磨液（Tungsten Slurry）
多晶矽研磨液（Polysilicon Slurry）
氧化鈰研磨液（Ceria Slurry）
精準控制固含量與稀釋倍率 以膠體二氧化矽或氧化鈰為基材，透過不同固含量與建議稀釋倍率設計，提供從高去除速率到溫和研磨等多種操作條件，方便依製程需求調整。
平坦化與缺陷控制兼顧 各系列研磨液強調優異的平坦化能力，並兼顧低刮傷、低缺陷密度，減少後續清洗與返工成本。
穩定的分散與儲存特性 顆粒分佈窄、懸浮穩定性佳，不易產生沉降與大顆粒聚集，有利於長時間連續生產。
適用於氧化層平坦化，例如 ILD、STI 等製程。
DI-3000
膠體二氧化矽基材
中高固含量配方，兼顧去除速率與表面品質
適合要求較高產能的製程線
DI-3100
膠體二氧化矽，高固含量設計
提供更快速的研磨效率與良好平坦性
適合作為主力 Oxide CMP 配方
DI-9000
膠體二氧化矽，低固含量、建議 5–10 倍稀釋使用
適合作為後段精拋或對表面缺陷更敏感的製程
針對金屬鎢填孔、鎢塞（W Plug）等製程設計，強調去除速率與選擇比控制。
TN-2000 / TN-2001
以氣膠二氧化矽（Fumed Silica）為基材
約 5% 固含量，建議 2–4 倍稀釋
兼顧穩定去除速率與成本效益
TN-1020 / TN-2020
膠體二氧化矽配方
著重較低選擇比與優異平坦化效果
適合需要精準控制鎢與介電層差異的製程
TN-1030
設計為較高選擇比，並維持良好平坦化特性
適合作為新製程節點開發與評估使用
TB-1000
研磨後拋光用途（Buff Polishing）
有助進一步降低缺陷與表面粗糙度
適合作為鎢 CMP 的收尾步驟
應用於多晶矽閘極、電阻及相關結構的平坦化與圖形修整。
PS-2003
適合 10–20 倍稀釋操作，支援量產線高通量需求
PS-2008
4–10 倍稀釋的操作區間
適用於需要兼顧速率與表面品質的多晶矽製程
PS-2100
針對特定 12 吋廠製程條件所開發之客製化配方
可視客戶需要調整至其他線別或節點
PS-2102
多晶矽專用膠體二氧化矽研磨液
平衡去除速率、均勻性與缺陷控制
PS-3000
建議 10–20 倍稀釋
適合作為高產能、多機台佈署之標準配方
主要用於高要求氧化層或特定介電材料的 CMP 製程。
CE-3000
氧化鈰基材，建議約 4 倍稀釋
具優異的化學反應性與研磨選擇性
適合作為關鍵介電層或高介電材料的平坦化配方
CE-5000
提供約 4–10 倍稀釋的操作範圍
更寬裕的製程視窗，便於依實際線上條件微調
適用於導入新材料或新結構時的開發階段
先進邏輯製程之 ILD / STI 平坦化
鎢塞、金屬柵極與接觸孔研磨
多晶矽閘極與阻性元件結構
特殊介電材料、高介電常數層之精密平坦化
其它需兼顧高去除速率與低缺陷的 CMP 製程
