CVD製程零部件

精密控制 × 高均勻性沉積

CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）是一種利用高溫，將反應氣體均勻分佈於晶圓表面，並透過化學反應生成薄膜的製程技術。廣泛應用於絕緣層、保護膜、擴散層與外延片製作。毅閎科技提供多款 CVD 製程零部件（CVD Parts），協助客戶確保薄膜品質與製程穩定性。

半導體氣體分配器(Showerhead)與氣體分佈盤(Faceplate)專家

在精密的半導體製造領域，腔體內的每一個耗材都對製程良率至關重要。我們專注於提供高純度、高精度的 Lam Research 氣體分配器 (Showerhead) 和 Applied Materials (AMAT) 氣體分佈盤 (Faceplate) 替代品。
我們的產品不僅在品質上與原廠標準齊平，更透過優化的供應鏈與專業的工程支持，確保您的生產線能夠維持最高的效率與最低的營運成本。選擇我們，即是選擇高性能、高性價比、無縫接軌的解決方案。

服務優勢：

我們深知半導體產業對品質、時間和專業性的嚴苛要求。因此，我們的服務承諾旨在成為您生產線背後最堅實的技術後盾。

客製化服務
針對特定製程或非標準機台需求，我們提供靈活的客製化設計與製造服務。無論是材料卡控、孔徑密度優化、孔洞特殊加工或客製化表面處理，我們都能滿足您提升特定製程效能的需求。

價格競爭力
憑藉優化的全球供應鏈和高效率的製造流程，我們能提供極具成本效益的關鍵耗材。在不犧牲任何品質的前提下，顯著降低您的營運支出。

專業工程背景
我們的團隊由具備數十年半導體製程經驗的工程師組成。我們不僅是產品供應商，更是技術諮詢顧問，能夠與您的製程或採購團隊進行實質且深入的技術討論，協助您解決現場遇到的良率或壽命挑戰。

半導體Showerhead(氣體分配器)

Lam Research Showerhead

是等離子體蝕刻 (Plasma Etch) 或沉積 (Deposition) 腔體中最核心的氣體分佈組件，其功能直接決定了製程的均勻性 (Uniformity) 和良率 (Yield)。

特性：

前驅物氣體均勻分佈：Showerhead 的內部通道和微孔設計專為 CVD 氣體流場優化。它確保所有反應氣體能夠以精準的角度和流量均勻散佈至整個晶圓表面，這是實現薄膜厚度高均勻性的基礎。
PECVD等離子體控制：在 PECVD 應用中，Showerhead 同時作為射頻 (RF) 電極。其材料和結構直接影響等離子體的電場分佈，精確控制離子能量，從而決定薄膜的緻密性、應力和介電常數 (k-value)。
精確熱管理： Showerhead 必須維持精確的溫度，以避免前驅物氣體在進入腔體前發生提前分解 (Pre-reaction) 或冷凝(Condensation)。精確的溫控設計能有效降低微粒(Particle) 缺陷，保障製程潔淨度。
抗化學腐蝕與積垢：採用高純度、耐腐蝕的材料。這對於避免反應副產物（如矽氧化物或氮化物的殘留）堆積在 Showerhead 表面至關重要，從而延長部件的清潔週期，確保製程穩定性。

半導體Face Plate(氣體分佈盤)

AMAT FACEPLATE

在 AMAT 的 CVD 機台，例如 PECVD 系統中，Faceplate 位於反應區頂部，扮演著氣體流場控制與熱傳導的關鍵角色，對於高效沉積高性能薄膜不可或缺。

特性：

反應氣體層流導向： Faceplate 的獨特幾何結構旨在引導從 Showerhead 導入的氣體，形成穩定的層流 (Laminar Flow)。這能最大化反應前驅物傳輸到晶圓表面的效率，對高深寬比結構的台階覆蓋率 (Step Coverage) 至關重要。
熱均勻性與薄膜應力：Faceplate 作為腔體內部熱傳導的關鍵點。其材料的熱穩定性和熱傳導性影響著晶圓上方的溫度均勻性，從而控制薄膜的內應力 (Intrinsic Stress)，防止薄膜剝落或破裂。
污染與副產物隔離：在沉積過程中，Faceplate 可有效隔離或捕獲部分非目標區域的反應副產物，減少其掉落到晶圓表面造成缺陷，對於生產高良率的介電層或金屬阻障層極為關鍵。
匹配兼容性：嚴格的尺寸公差控制，確保 Faceplate 與腔體內其他部件（如 Susceptor）完美匹配，防止氣體洩漏或流場偏移，維持製程的可重複性 (Reproducibility)。

產品項目與應用

Showerheads(氣體分配器)：將反應氣體均勻分佈到晶圓表面，確保薄膜厚度與品質一致。
Product Heater（加熱器）：控制晶圓或腔體溫度，使薄膜沉積過程穩定，提高製程良率。
Product Valve（真空閥件）：精準控制製程腔體氣體進出與真空狀態，維持穩定製程環境。

我們可依您的製程需求提供相容的 CVD製程零部件，並支援多款機型與規格。

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