再生晶圓 Reclaim Wafer

毅閎科技提供再生晶圓（Reclaim Wafer）服務，專精於 6 吋、8 吋、12 吋晶圓回收再製。透過精密研磨、拋光與檢測流程，確保再生晶圓在表面平整度、粒子控制、金屬污染抑制上接近新片品質，有效協助客戶降低材料成本、提升製程效率。

產品特色與優勢

再生晶圓全尺寸覆蓋（6吋/8吋/12吋），以低顆粒、低金屬污染、低霧度的品質接近新晶圓，降低成本同時維持製程精度。

12吋再生晶圓製程能力

Item	Target		Process Capability
Item			AVG	Sigma
Particle			26nm	≤ 200ea	27ea	19
	37nm	≤ 100ea	20ea	15
	45nm	≤ 80ea	15ea	11
	65nm	≤ 60ea	9ea	8
	90nm	≤ 40ea	6ea	5
	120nm	≤ 30ea	4ea	4
GBIR(TTV)	10μm		1.62μm	0.61
Haze	0.2ppm		0.051	0.015
Cu, Na, Al, Ca, K, Cr, Fe, Ni, Zn, Li, Mg, W, Mo, Co, K, Mn,TI (SURFACE)	≤ 1E10 atoms/cm²		1E9 atoms/cm²

Item				Specification			Remark
Item				8 inch general test	6 inch general test	6 inch prime or specified	Remark
1. GENERAL CHARACTERISTICS
1.1	生長方式	Growth Method		cz	cz	cz
1.2	晶向	Crystal Orientation		<100> + 1.0 degrees	<100> + 1.0 degrees	<100> + 1.0 degrees
1.3	導電型	Conductivity Type		P or N -Type	P or N -Type	P or N -Type
1.4	摻雜劑	Dopant		B/Ph	B/Ph	B/P/Sb/As
1.5	邊緣不計	Nominal Edge Exclusion		3 or 5 mm	3 or 5 mm	3 or 5 mm
2. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.1	電阻率	Resistivity		0.1-1000hm-cm	0.1-1000hm-cm	0.001-1000hm-cm
3. MECHANICAL CHARACTERISTICS
3.1	直徑	Diameter		200 + 0.5 mm	150 + 0.5 mm	50 + 0.5 mm
3.2	V型槽深度	Notch Depth		NOTCH	NOTCH or FLAT	NOTCH or FLAT
3.3	V型槽晶向	Notch Orientation		<110> + 1. O degrees	<110> + 1. O degrees	<110> + 1. O degrees
3.4	倒角輪廓	Edge Shape		SEMI S1	SEMI S1	SEMI
3.5	厚度	Thickness		>550um	>500um	>500um
3.6	彎曲度	Bow		<=60um	<=60um	<=50um
3.7	翹曲度	Warp		<=60um	<=60um	<=50um
3.8	總厚度變化	TTV		<=25um	<=25um	<=10um
3.9	全貌平整度	TIR		NA	NA	<=5um
4. FRONT SURFACE CHEMISTRY
4.1	表面金屬	Surface Metal Contamination
		Na, AI,Ca,K,Fe,Cr,Cr, Cr, Ni, Zn		<=5xE10 /cm2	<=5xE10 /cm2	<=5xE10 /cm2
5. FRONT SURFACE CRITERIA
5.1	刮傷	Scratches		None	None	None
5.2	顆粒要求	LPD particle	>=0.2um	<=30	<=30	<=30
6. BACK SURFACE CRITERIA
6.1	亮點	Brightness (Gloss)		Free	Free	Free
6.2	划傷總長度	Scratches (micro) (total length)		< Diameter	< Diameter
6.3	沾污	Stain		Free	Free	Free
6.4	崩邊	Chips		Free	Free	Free

我們可依您的製程需求提供相容的再生晶圓規格、樣品與報價。